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J-GLOBAL ID：200902224428332080   整理番号：09A1243589

InGaN/GaN材料中の局所偏光放射中心の近接場証拠

Near-field evidence of local polarized emission centers in InGaN/GaN materials

著者 (3件)： MICHELETTO Ruggero (Nanoscience and Technol., International Graduate School of Art and Sciences, Yokohama City Univ., Seto 22-2 ...) ,  ALLEGRINI Maria (Dep. of Physics “E. Fermi,” Univ. of Pisa and CNISM, Largo Pontecorvo 3, 56127 Pisa, ITA) ,  KAWAKAMI Yoichi (Dep. of Electronic Sci., Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Nishigyo-ku, Katsura, 615-8510 Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 21  ページ： 211904  発行年： 2009年11月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN単一量子井戸素子中の閉込め構造の偏光性を調べた。近接場光学装置を用いて偏光変調法により光ルミネセンスマップを調べた。発光が優先偏光方位を持つ場合,本装置は偏光度に比例する信号を発生する。量子井戸内に強く配向した光を放出する局所サブミクロン中心が存在することを実証した。これは量子井戸内に隠された量子ドット様の閉込められた非対称分域の存在を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *半導体材料 ,  *偏光 ,  近接場 ,  *光学 ,  光ルミネセンス ,  量子井戸 ,  発光中心 ,  *近接場光学

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  偏光 ,  放射 ,  近接場 ,  証拠