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J-GLOBAL ID：200902225285755003   整理番号：05A0845457

パルスレーザーアブレーション法によって作製した水素終端したSiナノチェーンの電気伝導特性

著者 (9件)： 山本裕 (甲南大 理工) ,  稲田貢 (情報通信研究機構 関西先端研究セ) ,  田中秀吉 (情報通信研究機構 関西先端研究セ) ,  鈴木仁 (情報通信研究機構 関西先端研究セ) ,  益子信郎 (情報通信研究機構 関西先端研究セ) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテク研) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテク研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 66th  号： 3  ページ： 1215  発行年： 2005年09月07日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *レーザアブレーション ,...
準シソーラス用語： ナノチェーン

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分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザーアブレーション法 ,  作製 ,  水素終端 ,  Si ,  ナノチェーン ,  電気伝導特性