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J-GLOBAL ID：200902226341511020   整理番号：09A0424854

III-V nMOSFET実現に向けた埋め込み再成長n+InP S/D形成

著者 (7件)： 竹中充 (東大 大学院工学系研究科) ,  武田浩司 (東大 大学院工学系研究科) ,  星井拓也 (東大 大学院工学系研究科) ,  種村拓夫 (東大 大学院工学系研究科) ,  杉山正和 (東大 大学院工学系研究科) ,  中野義昭 (東大 大学院工学系研究科) ,  高木信一 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 2  ページ： 875  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MOSFET ,  埋込み【挿入】 ,  *結晶成長 ,  リン化インジウム ,  エッチング ,  *ソース【半導体】 ,  *ドレイン【半導体】 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ホログラフィー ,  二次イオン質量分析 ,  電流電圧特性 ,  MOCVD ,  格子欠陥 ,  界面 ,  半導体接合 ,  電位 ,  不純物分布 ,  電子線ホログラフィー ,  静電ポテンシャル
準シソーラス用語： nMOSFET

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： nMOSFET ,  埋め込み ,  再成長