文献

J-GLOBAL ID：200902227229094838   整理番号：08A0420385

ZnOとAlNの混合粉末ターゲットのスパッタリングで作製したZnO膜の低湿式エッチング速度

Low wet etching rates of ZnO films prepared by sputtering of mixed ZnO and AlN powder targets

著者 (5件)： KOBAYASHI K. (Dep. of Materials Sci., Fac. of Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, 432-8561 Japan) ,  KONDO Y. (Dep. of Materials Sci., Fac. of Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, 432-8561 Japan) ,  TOMITA Y. (Dep. of Materials Sci., Fac. of Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, 432-8561 Japan) ,  MAEDA Y. (Dep. of Materials Sci., Fac. of Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, 432-8561 Japan) ,  MATSUSHIMA S. (Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Kitakyushu National Coll. of Technol., 5-20-1 Shii, Kitakyushu ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 516  号： 15  ページ： 4894-4898  発行年： 2008年06月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOとAlNの混合粉末ターゲットを用い,Ar雰囲気中のRFマグネトロンスパッタリングによりAlとNを同時ドープしたZnO膜を作製した。AlドープZnO膜は透明であったが,AlとNを同時ドープした膜は色付きであった。着色膜のAl及びN濃度はそれぞれ4-7at.%及び1-2at.%と推定した。着色ZnO膜ではキャリア密度増大は見られなかったが,AlドープZnO膜に比べて0.1M HCl溶液中のエッチング速度は3-5nm/sと低かった。着色膜では結晶粒は異方的に成長し,エッチング後に立方体結晶粒が生成された。着色膜の低エッチング速度の原因はZnO格子へのAl-N及びAl-O結合の取込みではなく,ZnO結晶粒表面上のAlN膜のエピタクシー成長にあった。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： エッチング ,  *マグネトロンスパッタリング ,  ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  キャリア密度 ,  *加工速度 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  結晶粒 ,  エピタクシー ,  ウェットエッチング ,  共ドーピング
準シソーラス用語： 湿式エッチング ,  同時ドーピング ,  *エッチング速度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  AlN ,  混合粉末 ,  ターゲット ,  スパッタリング ,  作製 ,  エッチング速度