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J-GLOBAL ID：200902229014944370   整理番号：09A0424739

ECRスパッタSiO₂膜を用いたInGaAs MOSキャパシタの界面特性向上

著者 (7件)： 星井拓也 (東大) ,  横山正史 (東大) ,  山田永 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  安田哲二 (産業技術総合研) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 2  ページ： 836  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MOS構造 ,  *薄膜コンデンサ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  MOSFET ,  スパッタリング ,  表面電位 ,  電圧 ,  電気特性 ,  *界面 ,  *特性
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *界面特性

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ ,  SiO2 ,  InGaAs ,  MOSキャパシタ ,  界面特性