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J-GLOBAL ID:200902231772200629   整理番号:08A0283363

有機伝導体において構造歪を持った電荷秩序:θ-(ET)2RbZn(SCN)4とα-(ET)2I3の間の比較

Charge Order with Structural Distortion in Organic Conductors: Comparison between θ-(ET)2RbZn(SCN)4 and α-(ET)2I3
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巻: 77  号:ページ: 034708.1-034708.9  発行年: 2008年03月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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準二次元有機伝導体,θ-(ET)2RbZn(SCN)4(ET=BEDT-TTF),とα-(ET)2I3において,構造歪を持った電荷秩序を理論的に調べた。Peierls型電子-格子結合と共に,オンサイトとインターサイトクーロン相互作用の両方を含む,拡張されたHubbardモデルに対して,Hartree-Fock近似を使うことにより,電荷秩序に与える格子自由度の役割を調べた。実験的に観察された水平方向電荷秩序は,二つの化合物中の格子歪により安定化される。特に,格子効果は,θ-(ET)2RbZn(SCN)4における,電荷秩序の実現に決定的であり,一方,その対称性が金属相中のθ-(ET)2RbZn(SCN)4の対称性よりも低い,特有のバンド構造は,格子歪と共にα-(ET)2I3において重要な因子である。α-(ET)2I3に対して,電荷不均衡金属相から,格子変調を持った水平方向の電荷秩序への相転移を得たが,これは最近のX線の実験結果と一致する。(翻訳著者抄録)
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