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J-GLOBAL ID：200902231773319042   整理番号：07A0689702

ナノワイヤMOSFETと単一電子におけるシリコンナノワイヤの量子構造の実験的研究とその影響

Experimental Study on Quantum Structure of Silicon Nano Wire and Its Impact on Nano Wire MOSFET and Single-Electron Transistor

著者 (2件)： KOBAYASHI Masaharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2006 Vol.2  ページ： 855-857  発行年： 2006年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノワイヤ構造のMOSFET(NWFET)は,弾道輸送する単...

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,...
準シソーラス用語： しきい電圧 ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノワイヤ ,  MOSFET ,  単一電子 ,  シリコンナノワイヤ ,  量子構造 ,  実験的研究