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J-GLOBAL ID：200902231961777104   整理番号：07A0206619

(100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性

High-Performance and Low-Power CMOS Device Technologies Featuring Metal/High-k Gate Stacks with Uniaxial Strained Silicon Channels on (100) and (110) Substrates

著者 (29件)： 舘下八州志 (ソニー) ,  WANG J. (ソニー) ,  長野香 (ソニー) ,  平野智之 (ソニー) ,  宮波勇樹 (ソニー) ,  生田哲也 (ソニー) ,  片岡豊隆 (ソニー) ,  菊池善明 (ソニー) ,  山口晋平 (ソニー) ,  安藤崇志 (ソニー) ,  田井香織 (ソニー) ,  松本良輔 (ソニー) ,  藤田繁 (ソニー) ,  山根千種 (ソニー) ,  山本亮 (ソニー) ,  神田さおり (ソニー) ,  釘宮克尚 (ソニー) ,  木村忠之 (ソニー) ,  大地朋和 (ソニー) ,  山本雄一 (ソニー) ,  長濱嘉彦 (ソニー) ,  萩本賢哉 (ソニー) ,  若林整 (ソニー) ,  田川幸雄 (ソニー) ,  塚本雅則 (ソニー) ,  岩元勇人 (ソニー) ,  齋藤正樹 (ソニー) ,  門村新吾 (ソニー) ,  長島直樹 (ソニー)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 106  号： 504(SDM2006 217-227)  ページ： 5-8  発行年： 2007年01月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ダマシンゲート構造を有するMetal/High-kゲートスタ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： *eSiGe ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (10件)：

• HIRANO, T. Tech. Dig. IEDM, 2005. 2005, 911
• YAMAGUCHI, S. Symp. VLSI Tech., 2006. 2006, 192
• ANDO, T. Symp. VLSI Tech., 2006. 2006, 208
• TAI, K. ESSDERC., 2006. 2006, 121
• GHANI, T. IEDM Tech. Dig., 2003. 2003, 987

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪み ,  Si ,  チャネル ,  MOSFET ,  デバイス特性