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J-GLOBAL ID：200902232184664992   整理番号：07A0120356

AlGaN/GaNヘテロ構造上の交差指SchottkyコンタクトとオーミックコンタクトからなるSAWフィルタ

SAW Filters Composed of Interdigital Schottky and Ohmic Contacts on AlGaN/GaN Heterostructures

著者 (5件)： SHIGEKAWA Naoteru (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  NISHIMURA Kazumi (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  SUEMITSU Tetsuya (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  HOHKAWA Kohji (Kanagawa Inst. Technol., Atsugi, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 28  号： 2  ページ： 90-92  発行年： 2007年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第13族元素ちっ化物は顕著な圧電性とともに優れた電気的および...

シソーラス用語： 接触 ,...
準シソーラス用語： 第3B族元素化合物 ,...

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分類 (3件)： フィルタ一般  (NC04021I) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  弾性表面波デバイス  (NC03120T)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  交差 ,  指 ,  コンタクト ,  オーミックコンタクト ,  SAWフィルタ