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J-GLOBAL ID：200902232795388958   整理番号：06A0355277

シリコン単一正孔トランジスタにおける負微分コンダクタンス幅の電圧利得依存性

Voltage gain dependence of the negative differential conductance width in silicon single-hole transistors

著者 (3件)： MIYAJI Kousuke (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  SAITOH Masumi (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 88  号： 14  ページ： 143505-143505-3  発行年： 2006年04月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温(RT)動作シリコン単一正孔トランジスタ(SHT)におけ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： *微分コンダクタンス

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  単一正孔トランジスタ ,  微分コンダクタンス ,  電圧利得 ,  依存性