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J-GLOBAL ID：200902234502868589   整理番号：05A0225708

Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性

Transport Properties of Sub-10-nm Planar-Bulk-CMOS Devices

著者 (9件)： 若林整 (NEC システムデバイス研) ,  江崎達也 (NEC システムデバイス研) ,  羽根正巳 (NEC システムデバイス研) ,  池沢健夫 (NEC情報システムズ) ,  阪本利司 (NEC 基礎・環境研) ,  川浦久雄 (NEC 基礎・環境研) ,  山上滋春 (NEC システムデバイス研) ,  五十嵐信行 (NEC システムデバイス研) ,  竹内潔 (NEC システムデバイス研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 577(SDM2004 209-221)  ページ： 1-4  発行年： 2005年01月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Sub-10-nm平面バルク型MOSFETに関して,ソース・...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 直接トンネル電流 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• IWAI, M. Symp. VLSI Tech., 2004. 2004, 12-13
• WAKABAYASHI, H. IEDM, 2003. 2003, 989-991
• YANG, Fu-Liang. Symp. VLSI Tech., 2004. 2004, 196-197
• DORIS, Bruce. IEDM Tech. Dig., 2002. 2002, 267-270
• KAWAURA, Hisao. SSDM, 1999. 1999, 20-21

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOS ,  トンネル電流