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J-GLOBAL ID：200902234545583235   整理番号：09A0693638

AlGaN/GaNからなる単相トランスジューサ

Single Phase Transducer Consisting of AlGaN/GaN

著者 (6件)： HOHKAWA Kohji (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  OSHIYAMA Satoshi (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  TERAO Yuji (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  KOH Keishin (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  NISHIMURA Kazumi (NTT Photonic Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (NTT Photonic Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings. IEEE Ultrasonics Symposium  (Proceedings. IEEE Ultrasonics Symposium)
巻： 2008 Vol.4  ページ： 1928-1931  発行年： 2008年 
JST資料番号： A0437C  ISSN： 1051-0117  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN界面上の二次元電子ガス(2DEG)に垂直電界を印加するAlGaN/GaN薄膜からなる新しいトランスジューサを示した。2DEGは,電界を印加することにより制御できるので,機能性デバイスを実現するために効果的である。しかしながら,2DEGは,金属電極に比べて比較的悪い伝導特性をもつ。ここでは,単相トランスジューサの埋めこみ電極としての2DEG電極の可能性を調査した。製作した試験デバイスでは,-13Vから7VのDCバイアスの範囲で,挿入損失はほぼ一定の値であった。従って,この範囲においては,2DEGはAlGaN薄膜とGaN薄膜間の電界を短絡するために十分な伝導性をもつことがわかる。

シソーラス用語： *超音波変換器 ,  *弾性表面波素子 ,  窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  窒化アルミニウム ,  スイッチング ,  二次元電子ガス ,  導電性 ,  電極 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  SAWデバイス ,  *超音波トランスデューサ

分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  単相 ,  トランスジューサ