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J-GLOBAL ID:200902234568052270   整理番号:08A0879360

磁化力学によって磁気トンネル接合に誘起されたトンネル障壁強化直流電圧信号

Tunnel-barrier-enhanced dc voltage signals induced by magnetization dynamics in magnetic tunnel junctions
著者 (3件):
資料名:
巻: 78  号:ページ: 020401.1-020401.4  発行年: 2008年07月 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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最近観測された,磁化の歳差運動によって磁気トンネル接合に生じたトンネル障壁強化(Tunnel-barrier-enhanced)直流電圧信号につき理論的に研究した。スピンポンピングはトンネルの高インピーダンスによって抑えられるが,2つの相補的な過程が,′強磁性体(F)|絶縁体(I)|正常金属(N)接合′および,′1つの強磁性体が強磁性共鳴的に励起されているF|I|F接合′に対して,かなり大きな電圧発生をもたらすと予測された。F|I|F系の磁気力学(dynamics)は強い電荷ポンピングを誘起し,開放回路の電圧に変換する。さらに,単一強磁性層内の力学によりこの強磁性体内に縦スピン蓄積が生み出される。トンネル障壁はこのとき,スピン蓄積を測定可能な電圧に変換する非貫入型の探針として作用する。提案された機構のどれもスピン緩和に鈍感である。それは,指数関数的にゆっくりしたトンネル率の尺度で見ると,スピン緩和は通常は高速である為である。
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分類 (1件):
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磁性一般 

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