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J-GLOBAL ID：200902236538113560   整理番号：07A0144051

可変ボディファクタスキームを使った極薄BOXを持つAC性能劣化フリーFD・SOI・MOSFETのしきい値電圧制御

Threshold-Voltage Control of AC Performance Degradation-Free FD SOI MOSFET With Extremely Thin BOX Using Variable Body-Factor Scheme

著者 (6件)： OHTOU Tetsu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YOKOYAMA Kouki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YOKOYAMA Kouki (Chuo Univ., Tokyo. JPN) ,  SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGUMO Toshiharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54  号： 2  ページ： 301-307  発行年： 2007年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バックバイアスによるしきい値電圧(V<sub>th</sub...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： BOX ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 可変 ,  極 ,  BOX ,  Ac ,  性能劣化 ,  SOI ,  MOSFET ,  しきい値電圧