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J-GLOBAL ID：200902237060933377   整理番号：06A0693625

バルクの短チャンネル領域にある金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるボディ因子およびしきい値以下のスイングのモデル化

Modeling of Body Factor and Subthreshold Swing in Bulk Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors in Short-Channel Regime

著者 (4件)： PUTRA Arifin Tamsir (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITOH Masumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TSUTSUI Gen (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45  号： 8A  ページ： 6173-6176  発行年： 2006年08月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクの単チャンネル領域にある金属-酸化物-半導体電界効果ト...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： しきい電圧

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• T. Kuroda, T. Fujita, S. Mita, T. Nagamatsu, S. Yoshida, K. Suzuki, F. Sano, M. Norishima, M. Murota, M. Kako, M. Kinugawa, M. Kakumu and T. Sakurai: IEEE J. Solid-State Circuits 31(1996)1770.
• T. Hiramoto and M. Takamiya: IEICE Trans. Electron. E83-C (2000)161.
• H. Koura, M. Takamiya and T. Hiramoto: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000)2312.
• T. Hiramoto, M. Takamiya, H. Koura, T. lnukai, H. Gomyo, H. Kawaguchi and T. Sakurai: Jpn. J. Appl. Phys.40(2001)2854.
• T. Inukai, H. Im and T. Hiramoto: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002)2312.

タイトルに関連する用語 (9件)： バルク ,  チャンネル領域 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  ボディ ,  因子 ,  しきい値 ,  スイング ,  モデル化