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J-GLOBAL ID：200902238155659759   整理番号：08A0425947

RF CMOS-MEMSの検討(4):厚膜金配線における高周波特性の検討

著者 (9件)： 牛山和久 (芝浦工大) ,  桑原啓 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  佐藤昇男 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  森村浩季 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  小舘淳一 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  村井正忠 (NTTアドバンステクノロジ) ,  工藤和久 (NTTアドバンステクノロジ) ,  町田克之 (NTTアドバンステクノロジ) ,  石井仁 (NTT マイクロシステムインテグレーション研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 2  ページ： 905  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *マイクロスイッチ ,  MEMS ,  *CMOS構造 ,  集積 ,  接続 ,  容量電圧特性 ,  周波数特性 ,  厚膜 ,  *MEMSスイッチ ,  *MOS構造
準シソーラス用語： 無線

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： RF ,  CMOS ,  MEMS ,  厚膜 ,  高周波特性