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J-GLOBAL ID：200902239717339309   整理番号：05A0592721

低電力応用のための単一ゲート完全空乏化SOI MOSFETのボディ因子を考慮したモデリング

Body factor conscious modeling of single gate fully depleted SOI MOSFETs for low power applications
著者 (5件)：
KUMAR Anil

KUMAR Anil について

(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Hiramoto Lab, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, JPN)

Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Hiramoto Lab, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, JPN について

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NAGUMO Toshiharu

NAGUMO Toshiharu について

(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Hiramoto Lab, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, JPN)

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TSUTSUI Gen

TSUTSUI Gen について

(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Hiramoto Lab, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, JPN)

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OHTOU Tetsu

OHTOU Tetsu について

(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Hiramoto Lab, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, JPN)

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HIRAMOTO Toshiro

HIRAMOTO Toshiro について

(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Hiramoto Lab, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, JPN)

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資料名：
Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)

Solid-State Electronics について


巻： 49  号： 6  ページ： 997-1001  発行年： 2005年06月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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シソーラス用語：
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