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J-GLOBAL ID：200902241339291160   整理番号：05A0850213

Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO₂/Ge MISキャパシタの作製と電気特性

著者 (7件)： 熊谷寛 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  七条真人 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  石川寛人 (東大 工) ,  星井拓也 (東大 工) ,  菅原聡 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  高木信一 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  高木信一 (東大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 66th  号： 2  ページ： 673  発行年： 2005年09月07日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  Si ,  プラズマ酸化 ,  SiO2 ,  MISキャパシタ ,  作製 ,  電気特性