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J-GLOBAL ID：200902243180704304   整理番号：04A0699797

高濃度・Si添加GaAs/AlAs短周期超格子のフォトルミネッセンス

著者 (4件)： 重谷篤 (甲南大 理工) ,  小堀裕己 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 3  ページ： 1233  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高濃度 ,  Si ,  GaAs ,  AlAs ,  短周期 ,  超格子 ,  フォトルミネッセンス