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J-GLOBAL ID：200902246060090468   整理番号：05A0535201

バルクおよび完全空乏化SOI MOSFETにおけるオフ電流の温度依存性

Temperature Dependence of Off-Current in Bulk and Fully Depleted SOI MOSFETs

著者 (4件)： MIYAJI Kousuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITOH Masumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGUMO Toshiharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 4B  ページ： 2371-2375  発行年： 2005年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.25μm~65nm技術ノードをもつMOSFETのオフ電流...

シソーラス用語： 空乏層 ,...
準シソーラス用語： 空乏化

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• 1) F. P. Heiman and H. S. Miller: IEEE Trans. Electron Devices 12 (1964) 142.
• 2) L. Vadasz and A. S. Grove: IEEE. Trans. Electron Devices 13 (1966) 863.
• 3) F. S. Shoucair: IEEE Trans. Compon. Hybrids Manuf. Technol. 9 (1986) 242.
• 4) F. S. Shoucair: IEEE Trans. Compon. Hybrids Manuf. Technol. 12 (1989) 780.
• 5) D. S. Jeon and D. E. Burk: IEEE Trans. Electron Devices 38 (1991) 2101.

タイトルに関連する用語 (4件)： バルク ,  SOI ,  MOSFET ,  温度依存性