文献

J-GLOBAL ID：200902246281231848   整理番号：08A0276994

シリコンナノワイヤMOS電界効果トランジスタと単電子トランジスタ中の量子閉じ込め効果についての実験研究

Experimental study on quantum confinement effects in silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors and single-electron transistors

著者 (2件)： KOBAYASHI Masaharu (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 103  号： 5  ページ： 053709  発行年： 2008年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノワイヤMOS電界効果トランジスタ(FET)と単電子トランジスタ中の量子閉じ込め効果について実験的に調べた。チャネル幅を注意深く設計することによりナノワイヤトランジスタはシリコンナノワイヤFET(SNWFET)あるいは単電子トランジスタとして動作した。極めて細いシリコンナノワイヤ中の大きな量子閉じ込めがこれらの素子中で決定的な役を果たす。またn型およびp型動作を同一の素子中で行わせられる特別な素子構成を採用し,チャネル方向と電荷極性への依存性を集中して調べた。統計的測定とバンド構造計算が室温では[110]pチャネルSNWFETがより小さな閾値変動を示し[100]単正孔トランジスタは最大のCoulombブロッケード振動を示すことを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *MOSFET ,  *単一電子トランジスタ ,  *量子閉込め ,  チャネル ,  バンド構造 ,  閾値 ,  Coulombブロッケード
準シソーラス用語： 単電子トランジスタ

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコンナノワイヤ ,  MOS電界効果トランジスタ ,  単電子トランジスタ ,  量子 ,  閉じ込め効果 ,  実験 ,  研究