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J-GLOBAL ID：200902251495203144   整理番号：08A0548971

電気的相変化に於けるスパッタ成膜のGe₂Sb₂Te₅の不安定性

Un-stability of Sputtered Ge₂Sb₂Te₅ Films in Electrical Phase Changes

著者 (3件)： SAITOH Akira (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  DONUMA Toshiaki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TANAKA Keiji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 2  ページ： 021501.1-021501.3  発行年： 2008年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コプレーナな電極を使用して電気的相変化をするアモルファスGe₂Sb₂Te₅の微細構造を電気的,構造的に調査した。構成された相変化領域は顕微鏡のイメージでは狭いチャンネルと両側の土手と粗い周辺領域から成っている。室温に於ける抵抗値は~10^-3Ω・cmであり,これは金属の温度依存性を有する。チャンネルと土手のマイクロラマン散乱スペクトルは結晶Teとテルル化物によるピークを示す。多くのチャンネルを含むフィルムからのX線回折パターンは立方晶GeTeとその他の化合物に帰せられる結晶性ピークを呈する。これらの観察から電気的自己加熱の元でGe₂Sb₂Te₅の熔融が相分離に至り易いことを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  *相転移 ,  *非晶質半導体 ,  テルル化物 ,  アンチモン化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  微細構造 ,  電気抵抗 ,  Ramanスペクトル ,  X線回折 ,  相分離 ,  *半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (30件)：

• WUTTIG, M. Nat. Mater. 2007, 6, 824
• LACAITA, A. L. Solid-State Electron. 2006, 50, 24
• YAMADA, N. J. Appl. Phys. 1991, 69, 2849
• KATO, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 7340
• LEE, B.-S. J. Appl. Phys. 2005, 97, 93509

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化 ,  スパッタ成膜 ,  不安定性