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J-GLOBAL ID：200902252282434793   整理番号：05A0383456

Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性

Transport Properties of Sub-10-nm Planar-Bulk-CMOS Devices

著者 (9件)： 若林整 (NEC) ,  江崎達也 (NEC) ,  羽根正巳 (NEC) ,  阪本利司 (NEC) ,  川浦久雄 (NEC) ,  五十嵐信行 (NEC) ,  竹内潔 (NEC) ,  山本豊二 (NEC) ,  池沢健夫 (NEC情報システムズ)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-05  号： 37-44  ページ： 25-28  発行年： 2005年 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： システムLSI用の低消費電力高性能CMOSの開発では,ゲート...

シソーラス用語： *超LSI ,...
準シソーラス用語： バルク半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (10件)：

• IWAI, M. Symp. VLSI Tech., 2004. 2004, 12-13
• WAKABAYASHI, H. IEDM, 2003. 2003, 989-991
• YANG, Fu-Liang. Symp. VLSI Tech., 2004. 2004, 196-197
• DORIS, Bruce. IEDM Tech. Dig., 2002. 2002, 267
• KAWAURA, Hisao. SSDM, 1999. 1999, 20-21

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOS ,  トンネル電流