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J-GLOBAL ID：200902253313103975   整理番号：09A0423903

超薄膜III-V-OI MOSFET実現に向けたチャネルおよび接合形成技術

著者 (9件)： 竹中充 (東大) ,  横山正史 (東大) ,  星井拓也 (東大) ,  出浦桃子 (東大) ,  灰本隆志 (東大) ,  中川翔太 (東大) ,  KIM S. (東大) ,  杉山正和 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 0  ページ： 157  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  超薄膜 ,  CMOS構造 ,  ヘテロ接合 ,  *半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  基板 ,  ケイ素 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  MOS構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 超薄膜 ,  MOSFET ,  チャネル