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J-GLOBAL ID：200902254103957340   整理番号：09A0420716

多段階成長を用いた微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの面内均一化

著者 (8件)： 出浦桃子 (東大 大学院) ,  近藤佳幸 (東大 大学院) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  竹中充 (東大 大学院) ,  高木信一 (東大 大学院) ,  中野義昭 (東大 大学院) ,  中野義昭 (東大 先端科学技研セ) ,  杉山正和 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 369  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *ヘテロエピタクシー ,  選択成長 ,  均一性 ,  多段階過程 ,  MOCVD ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *シリコン基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 段階 ,  成長 ,  微小領域 ,  MOVPE ,  Si ,  InGaAs ,  均一化