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J-GLOBAL ID：200902254336478565   整理番号：05A0428140

レーザーアブレーションによる水素化シリコンナノ結晶の生成過程とプルーム解析

著者 (3件)： 高田将利 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 3  ページ： 1285  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザーアブレーション ,  水素化シリコン ,  ナノ結晶 ,  過程 ,  プルーム ,  解析