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J-GLOBAL ID：200902258893562949   整理番号：08A0944854

CuPcおよびV₂O₅積層構造を用いたOFETの作製と評価

著者 (12件)： 北村翔平 (新潟大 大学院) ,  皆川正寛 (新潟大 大学院) ,  大平泰生 (新潟大 大学院) ,  大平泰生 (新潟大) ,  馬場暁 (新潟大 大学院) ,  馬場暁 (新潟大) ,  新保一成 (新潟大 大学院) ,  新保一成 (新潟大) ,  加藤景三 (新潟大 大学院) ,  加藤景三 (新潟大) ,  金子双男 (新潟大 大学院) ,  金子双男 (新潟大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 3  ページ： 1188  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  積層構造 ,  有機半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  活性層

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (5件)： CuPc ,  積層構造 ,  OFET ,  作製 ,  評価