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J-GLOBAL ID：200902259856960647   整理番号：07A0689644

10nmの極端に薄いBOXを持つ可変ボディファクタ(γ)の完全空乏化SOI MOSFETの優れた特性の実験的実証

Experimental Demonstrations of Superior Characteristics of Variable Body-Factor (γ) Fully-Depleted SOI MOSFETs with Extremely Thin BOX of 10nm

著者 (7件)： OHTOU Tetsu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMOKAWA Kimiaki (Oki Electric Ind. Co., Ltd.) ,  DOUMAE Yasuhiro (Oki Electric Ind. Co., Ltd.) ,  NAGATOMO Yoshiki (Oki Electric Ind. Co., Ltd.) ,  IDA Jiro (Oki Electric Ind. Co., Ltd.) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2006 Vol.2  ページ： 626-629  発行年： 2006年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 裏面バイアス法は次世代低消費電力技術として重要である。完全空...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： BOX ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： BOX ,  可変 ,  ボディ ,  ファクタ ,  SOI ,  MOSFET ,  実験 ,  実証