文献

J-GLOBAL ID：200902260661487287   整理番号：05A0427427

Sub-10-nm平面型Bulk CMOSのS/D直接トンネル電流特性

著者 (9件)： 若林整 (NEC システムデバイス研) ,  江崎達也 (NEC システムデバイス研) ,  羽根正巳 (NEC システムデバイス研) ,  池沢健夫 (NEC情報システムズ) ,  阪本利司 (NEC 基礎・環境研) ,  川浦久雄 (NEC 基礎・環境研) ,  山上滋春 (NEC システムデバイス研) ,  五十嵐信行 (NEC システムデバイス研) ,  竹内潔 (NEC システムデバイス研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 2  ページ： 967  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *トンネル効果 ,...
準シソーラス用語： 伝送行列法

   このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0427427&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOS ,  トンネル電流