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J-GLOBAL ID：200902261485341420   整理番号：09A0996271

界面窒化によるECRスパッタSiO₂/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上

著者 (7件)： 星井拓也 (東大) ,  横山正史 (東大) ,  山田永 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  安田哲二 (産業技術総合研) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 2  ページ： 749  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MOS構造 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *二酸化ケイ素 ,  スパッタ蒸着 ,  窒化ケイ素 ,  イオン窒化 ,  表面準位 ,  *薄膜コンデンサ ,  改変
準シソーラス用語： プラズマ窒化 ,  界面準位 ,  *MOSキャパシタ

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 界面 ,  窒化 ,  スパッタ ,  SiO2 ,  InGaAs ,  MOSキャパシタ ,  界面特性