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J-GLOBAL ID：200902265267786190   整理番号：09A0480975

極薄ボディpMOSFETに利用するSi(110)正孔移動度の方位依存性成因の実験的調査

Experimental Investigation on the Origin of Direction Dependence of Si (110) Hole Mobility Utilizing Ultra-Thin Body pMOSFETs

著者 (3件)： SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2008 Vol.1  ページ： 67-70  発行年： 2008年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FinFETまたは超薄ボディ(UTB)FETのような極限縮尺素子構造において,Si(110)はその高い正孔移動度のために非常に魅力的である。本稿では,<110>及び<100>方位Si(110)UTB pFETの正孔移動度を実験的に調査し,理論的に新しい素子構造に利用した。<110>及び<100>方位を正当に比較するために,両方位に同じチャネルを共有する新しいFET構造(共有チャネルFET)を用いた。Si(110)正孔移動度の方位依存挙動を,<110>方位でより顕著である量子閉込めによる伝導質量変化の観点で理解した。そのために,Si(110)/<110>正孔移動度が,高表面電場においても(110)/<100>より高い移動度を保持した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  ケイ素 ,  *キャリア移動度 ,  *結晶方位 ,  素子構造 ,  チャネル ,  FET【トランジスタ】 ,  量子閉込め ,  正孔移動度 ,  *超薄型
準シソーラス用語： Si

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ボディ ,  pMOSFET ,  Si ,  正孔移動度 ,  方位依存性 ,  成因 ,  実験 ,  調査