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J-GLOBAL ID：200902265926683131   整理番号：05A0486303

超ナノスケールチャネルを持つSiナノ結晶メモリにおけるチャネル幅と長さ依存性

Channel Width and Length Dependence in Si Nanocrystal Memories With Ultra-Nanoscale Channel

著者 (3件)： BRAULT Julien (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITOH Masumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 4  号： 3  ページ： 349-354  発行年： 2005年05月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のフローティングゲート不揮発性メモリはポリSi膜を用い,...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： ナノ結晶メモリ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  チャネル ,  Si ,  ナノ結晶 ,  チャネル幅 ,  長さ依存性