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J-GLOBAL ID：200902268165482950   整理番号：09A0234068

BドープFZシリコンの磁場中超音波計測

著者 (10件)： 渡邊肇 (新潟大 大学院) ,  赤津光洋 (新潟大 大学院) ,  三本啓輔 (新潟大 大学院) ,  永井勇太 (新潟大 大学院) ,  馬場正太郎 (新潟大 大学院) ,  金田寛 (新潟大 物質量子科学研究セ) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  石井勲 (新潟大 大学院) ,  中村慎太郎 (東北大 金属材料研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 64  号： 1 第4分冊  ページ： 932  発行年： 2009年03月03日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 半導体 ,  *ケイ素 ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  濃度依存性 ,  単結晶 ,  磁場効果 ,  弾性係数 ,  ソフトモード ,  *空孔欠陥 ,  超音波応用計測 ,  浮遊融解
準シソーラス用語： 弾性定数

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  シリコン ,  磁場 ,  超音波計測