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J-GLOBAL ID：200902268179752497   整理番号：05A0845304

V₂O₅挿入フタロシアニン電界効果トランジスタの作製と評価

著者 (11件)： 岩崎正英 (新潟大 大学院) ,  皆川正寛 (新潟大 大学院) ,  新保一成 (新潟大 大学院) ,  新保一成 (新潟大 超域研究機構) ,  加藤景三 (新潟大 大学院) ,  加藤景三 (新潟大 超域研究機構) ,  大平泰生 (新潟大 工) ,  大平泰生 (新潟大 超域研究機構) ,  川上貴浩 (新潟大 工) ,  金子双男 (新潟大 工) ,  金子双男 (新潟大 超域研究機構)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 66th  号： 3  ページ： 1163  発行年： 2005年09月07日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： 銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (4件)： フタロシアニン ,  電界効果トランジスタ ,  作製 ,  評価