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J-GLOBAL ID：200902268221616558   整理番号：08A0968366

SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源

著者 (7件)： 安藤康伸 (東大 大学院) ,  藤原弘康 (東大 大学院) ,  赤木和人 (東北大 WPI) ,  常行真司 (東大 大学院) ,  常行真司 (東大 物性研) ,  白澤徹郎 (東大 物性研) ,  栃原浩 (九大)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 63  号： 2 第4分冊  ページ： 848  発行年： 2008年08月25日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *酸化物 ,  *窒化物 ,  *ケイ素化合物 ,  超薄膜 ,  *絶縁膜 ,  第一原理 ,  *深さ分布 ,  *表面準位

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiON ,  SiC ,  電子状態 ,  深さ依存性 ,  起源