水素化シリコン微粒子の発光強度と酸化の相関

文献

J-GLOBAL ID：200902269454972075 整理番号：03A0302676

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0302676&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0302676&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 50th 号： 3 ページ： 1533 発行年： 2003年03月27日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0302676&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

半導体のルミネセンス , 半導体薄膜

, , , ,

前のページに戻る