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J-GLOBAL ID：200902270819948843   整理番号：06A0829149

(110)と(100)間に配向した超薄基板シリコンMOSFETの移動度およびしきい値電圧の比較

Mobility and Threshold-Voltage Comparison Between (110)- and (100)-Oriented Ultrathin-Body Silicon MOSFETs

著者 (2件)： TSUTSUI Gen (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53  号： 10  ページ： 2582-2588  発行年： 2006年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETの微細化により短チャネル効果が大きな課題となって...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 伝搬遅延 ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 配向 ,  シリコン ,  MOSFET ,  移動度 ,  しきい値電圧