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J-GLOBAL ID：200902271137110569   整理番号：08A0055961

適応しきい値電圧/漏洩制御用極薄埋込み酸化膜を用いた可変基板ファクターSOI MOSFET

Variable-Body-Factor SOI MOSFET With Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control

著者 (3件)： OHTOU Tetsu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55  号： 1  ページ： 40-47  発行年： 2008年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可変基板ファクター完全空乏化(FD)シリコン-オン-絶縁膜(...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...
準シソーラス用語： ボディバイアス ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 適応 ,  しきい値電圧 ,  漏洩 ,  埋込み酸化膜 ,  可変 ,  ファクター ,  SOI ,  MOSFET