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J-GLOBAL ID：200902271932629076   整理番号：09A0455728

室温での一軸引張り歪み下におけるシリコン・ナノワイヤn型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ

Silicon nanowire n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors and single-electron transistors at room temperature under uniaxial tensile strain

著者 (4件)： JEONG Yeonjoo (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  MIYAJI Kousuke (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  SARAYA Takuya (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 8  ページ： 084514  発行年： 2009年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [110]Siナノワイヤn型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(n-FETs)及び単一電子トランジスタ(SETs)に及ぼす一軸引張り歪みの効果を初めて実験的に調べた。その結果,極めて細いナノワイヤn-FETsでも歪み効果はなお有効であり,オン/オフ電流比に関しては,長手方向引張り歪みよりも横方向引張り歪みのほうが好ましいことが分かった。SETsでは振動領域において複雑な歪み効果が観測された。これはポテンシャル構造の変調とトンネリング条件の変化に起因する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  ケイ素 ,  *MOSFET ,  *単一電子トランジスタ ,  引張応力 ,  *格子歪 ,  一軸 ,  電流電圧特性 ,  NMOS構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 室温 ,  一軸 ,  引張り歪み ,  シリコン ,  ナノワイヤ ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  単一電子トランジスタ