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J-GLOBAL ID：200902272297354223   整理番号：09A0863532

Al原子を吸着させたSiON/SiC(0001)表面系の電子状態解析

著者 (4件)： 安藤康伸 (東大 大学院) ,  合田義弘 (東大 大学院) ,  常行真司 (東大 大学院) ,  常行真司 (東大 物性研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 64  号： 2 第4分冊  ページ： 809  発行年： 2009年08月18日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *窒化物 ,  *酸化物 ,  *ケイ素化合物 ,  基板 ,  電子状態 ,  *吸着 ,  *アルミニウム ,  *表面準位

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al原子 ,  吸着 ,  SiON ,  SiC ,  電子状態 ,  解析