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J-GLOBAL ID：200902272754711797   整理番号：09A1004346

硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の光電気伝導特性

著者 (11件)： 高取裕樹 (甲南大 理工) ,  平田圭 (甲南大 理工) ,  香野淳 (福岡大) ,  WARRENDER J.M. (U.S. Army ARDEC) ,  WILLIAMS J.S. (Australian National Univ.) ,  CHARNVANICHBORIKARN S. (Australian National Univ.) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテク研) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテク研) ,  AZIZ M.J. (Harvard Univ.)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1320  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫黄 ,  *過飽和 ,  *光電流 ,  イオン注入 ,  パルスレーザ ,  レーザ融解 ,  赤外検出器 ,  太陽電池 ,  不純物準位 ,  PN接合 ,  光起電力 ,  半導体 ,  *ドーピング ,  *単結晶シリコン ,  赤外領域
準シソーラス用語： 赤外域

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫黄 ,  過飽和 ,  ドープ ,  Si単結晶 ,  電気伝導特性