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J-GLOBAL ID：200902274165030758   整理番号：09A1072531

SRAMセルおよびロジックトランジスタのばらつきを抑制するための製造後自己収束方式

Post-Fabrication Self-Convergence Scheme for Suppressing Variability in SRAM Cells and Logic Transistors

著者 (5件)： SUZUKI Makoto (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAKURAI Takayasu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2009  ページ： 121-122  発行年： 2009年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETのばらつきの増加は,デバイスのスケーリングに対する阻害要因の1つである。本稿では,製造後にばらつきを抑制する自己収束方式を提案し,SRAMセルとロジックトランジスタに適用した。本方式ではトランジスタの不揮発性閾値電圧シフト技術を用いた。基板ホットエレクトロンとドレインアバランシェ・ホットキャリアにより,65nmノードトランジスタを用いて閾値電圧シフトを実証した。実験データに基づくモンテカルロシミュレーションを行い,本提案のコンセプトを検証した。

シソーラス用語： *SRAM ,  論理素子 ,  *トランジスタ ,  *分散【variance】 ,  *自己集束 ,  非揮発性 ,  電圧変動 ,  ホットエレクトロン ,  ホットキャリア ,  微細加工 ,  *ばらつき ,  モンテカルロシミュレーション ,  閾値電圧
準シソーラス用語： メモリセル ,  電圧シフト ,  不揮発性

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SRAM ,  セル ,  ロジック ,  トランジスタ ,  ばらつき ,  自己収束