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J-GLOBAL ID：200902274343750069   整理番号：09A1149334

短チャンネルSi-MOSFETの速度飽和効果とその小信号特性

Velocity Saturation Effects in a Short Channel Si-MOSFET and its Small Signal Characteristics

著者 (6件)： HWANG Sanghoon (Samsung Electro-Mechanics, Suwon) ,  IM Hyunsik (Dongguk Univ., Seoul) ,  SONG Minkyu (Dongguk Univ., Seoul) ,  ISHIDA Koichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAKURAI Takayasu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 55  号： 2  ページ： 581-584  発行年： 2009年08月14日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *効果 ,  SPICEプログラム ,  電流電圧特性 ,  相互コンダクタンス ,  計算機シミュレーション ,  *特性 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *速度飽和効果 ,  *小信号特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 短チャンネル ,  Si ,  MOSFET ,  信号特性