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J-GLOBAL ID：200902274473270638   整理番号：09A0885413

B-doped FZ Siの原子空孔軌道の四極子効果

著者 (10件)： 永井勇太 (新潟大 大学院) ,  馬場正太郎 (新潟大 大学院) ,  赤津光洋 (新潟大 大学院) ,  小松悟 (新潟大 大学院) ,  渡邊肇 (新潟大 大学院) ,  三本啓輔 (新潟大 大学院) ,  小川貴史 (新潟大 大学院) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  金田寛 (新潟大 物質量子セ) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 64  号： 2 第3分冊  ページ： 446  発行年： 2009年08月18日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 半導体 ,  *ケイ素 ,  単結晶 ,  ゾーン融解 ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  *空格子点 ,  分子軌道 ,  *電子配置 ,  四重極モーメント
準シソーラス用語： FZ結晶

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  原子空孔 ,  軌道 ,  四極子