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J-GLOBAL ID：200902277267119701   整理番号：08A0818631

超狹[100]シリコンナノワイヤチャネルで形成した室温動作単一電子/正孔トランジスタに関する過駆動電圧へのトンネル輸送特性の強い依存性

Strong dependence of tunneling transport properties on overdriving voltage for room-temperature-operating single electron/hole transistors formed with ultranarrow [100] silicon nanowire channel

著者 (2件)： LEE Sejoon (Quantum-functional Semiconductor Res. Center, Dongguk Univ., Seoul 100-715, KOR) ,  HIRAMOTO Toshiro (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 4  ページ： 043508  発行年： 2008年07月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己集合Si量子ドットを有するSiナノワイヤチャネルからなる単一電子/正孔トランジスタ(SET/SHT)は,過駆動電圧(V_over)へのCoulombブロッケード(CB)特性の強い依存性を示した。ナノワイヤサイズ比べて適度のドットサイズによる低V_overを必要とするSET/SHTは良好な素子性能,例えば,非常に鋭いCB発振及びブロッケード領域の長い広がり,を示した。しかしながら,ドットとナノワイヤとの間の価電子帯オフセットの増大をもたらす,サイズの過度の収縮による高V_overを要求するSET/SHTは,素子性能の劇的な劣化を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,  *トランジスタ ,  室温 ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *チャネル ,  *量子ドット ,  Coulombブロッケード ,  *単一正孔トランジスタ ,  サイズ依存性
準シソーラス用語： *シリコン ,  駆動電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 室温 ,  単一電子 ,  正孔 ,  トランジスタ ,  駆動電圧 ,  トンネル ,  輸送特性 ,  依存性