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J-GLOBAL ID：200902277321961243   整理番号：09A0426157

ゲート絶縁膜誘電率と有機FETキャリア移動度の関係についての解析:鏡像電荷の及ぼす効果

著者 (4件)： 田口大 (Tokyo Tech) ,  WEIS M. (Tokyo Tech) ,  間中孝彰 (Tokyo Tech) ,  岩本光正 (Tokyo Tech)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 3  ページ： 1386  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  *界面 ,  *誘電率 ,  キャリア移動度 ,  *鏡像ポテンシャル ,  *電荷 ,  ホッピング伝導 ,  移動度 ,  温度依存性 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *有機FET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート絶縁膜 ,  誘電率 ,  有機FET ,  キャリア移動度 ,  解析 ,  鏡像 ,  電荷