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J-GLOBAL ID：200902277572413857   整理番号：08A0202475

室温作動するシリコン単一正孔トランジスタにおけるCoulombブロッケード及び負微分コンダクタンス振動の極度に高い柔軟性

Extremely high flexibilities of Coulomb blockade and negative differential conductance oscillations in room-temperature-operating silicon single hole transistor

著者 (4件)： LEE Sejoon (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Tokyo 153-8505, JPN) ,  MIYAJI Kousuke (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Tokyo 153-8505, JPN) ,  KOBAYASHI Masaharu (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305-9505, USA) ,  HIRAMOTO Toshiro (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 7  ページ： 073502  発行年： 2008年02月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長い棒のその形を持つ極度に長距離に広がったブロッケード領域の独特の特徴を,室温稼動するシリコン単一正孔トランジスタで明瞭に観測した。そこではCoulombブロッケード振動及び負微分コンダクタンスピーク位置を,極度に広いV_G及びV_D領域の両方で系統的かつ精密に変調できる。これらの結果は,大きい量子準位間隔,大きいトンネル障壁高さ,小さいトンネル障壁曲率,小さいバイアス誘起バリア変調及び大きい電圧利得から起こる。そして大きいサブバンド変調を持つ[100]Siナノワイヤチャネルに沿う,穏やかに傾斜したトンネルバリアにおける超小ドットの形成に帰する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トランジスタ ,  正孔 ,  ケイ素 ,  Coulombブロッケード ,  電気抵抗 ,  負性抵抗 ,  振動 ,  エネルギー準位 ,  トンネル効果 ,  障壁 ,  高さ ,  曲率 ,  利得 ,  電圧 ,  微分抵抗

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  シリコン ,  単一正孔トランジスタ ,  Coulombブロッケード ,  微分コンダクタンス