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J-GLOBAL ID：200902280071491182   整理番号：08A0943656

MEMS用金配線表面の水素アニールによる低温清浄化

著者 (6件)： 阪田知巳 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  桑原啓 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  小野一善 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  佐藤昇男 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  町田克之 (NTTアドバンステクノロジ) ,  石井仁 (NTT マイクロシステムインテグレーション研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 2  ページ： 724  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MEMS ,  配線 ,  *金 ,  焼なまし ,  水素 ,  *酸化金 ,  酸化 ,  *浄化 ,  表面反応 ,  プラズマ酸化
準シソーラス用語： *清浄化

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： MEMS ,  水素 ,  アニール ,  低温 ,  清浄化