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J-GLOBAL ID：200902280802144991   整理番号：09A0136218

微小領域選択金属有機化学蒸着エピタキシャル法で成長させたSi(111)上の無転位InGaAs

Dislocation-Free InGaAs on Si(111) Using Micro-Channel Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (8件)： DEURA Momoko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HOSHII Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Takahisa (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  IKUHARA Yuichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Yoshiaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 1  ページ： 011101.1-011101.3  発行年： 2009年01月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微小領域選択金属有機化学蒸着エピタキシャル法を用いてSi(111)上に転位の無いInGaAsを得た。Gaプリカーサの供給を増すことで,(111)基板上のIII-V層に見られた回転双晶を取り除いた。結晶中のGa成分は成長の進行とともに徐々に増加したことが原子構造の解析から分かった。結晶が[111]から傾いた方向へ成長することと双晶の消滅の結果,この増加が起こった。成長の途中にGaリッチ層を挿入することで双晶の無いInGaAs層が得られると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  基板 ,  ケイ素 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *選択性 ,  双晶 ,  *無転位結晶

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (13件)：

• SHICHIJO, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 5930
• LUBNOW, A. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 3628
• SAKAI, S. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 413
• RAZEGHI, M. Appl. Phys. Lett. 1988, 53, 2389
• YAMAGUCHI, M. Prog. Photovoltaics. 2001, 9, 191

タイトルに関連する用語 (7件)： 微小領域 ,  金属有機化学蒸着 ,  エピタキシャル ,  成長 ,  Si ,  転位 ,  InGaAs