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J-GLOBAL ID：200902281548778205   整理番号：08A0452467

SOI厚み0.4nm以下の単一軸歪み(110)配向超薄体単一および二重ゲートMOSFETにおける移動度向上

Mobility Enhancement in Uniaxially Strained (110) Oriented Ultra-Thin Body Single- and Double-Gate MOSFETs with SOI Thickness of Less Than 4nm

著者 (2件)： SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2007 Vol.2  ページ： 715-718  発行年： 2007年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (110)配向MOSFETは従来の(100)デバイスより正孔移動度に優位性があり注目されており,(110)配向での移動度の振舞いおよび,単一ゲート(SG)と二重ゲート(DG)超薄体(UTB)MOSFETでのその改良方法の検討は重要である。本論文では,一軸性引っ張り応力下でのSGおよびDGUTBSOIMOSFETの移動度を系統的に研究した。SOI厚み1.8nmの(110)配向UTB SG/DG nMOSFETおよびpMOSFETの移動度向上を初めて報告した。UTBnMOSFETにおけるこの移動度向上は理論予測よりも大きかった。歪み工学がこのようなUTBMOSFETに対して未だ有効であり,正確な移動度モデリングのためには,移動度向上メカニズムとして有効質量変化も考慮すべきことを新しく見いだした。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  一軸 ,  歪 ,  超薄膜 ,  *MOSFET ,  移動度 ,  半導体素子 ,  正孔 ,  *引張応力 ,  モデリング ,  *有効質量
準シソーラス用語： デバイス ,  単一軸 ,  *二重ゲート

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI ,  厚み ,  一軸歪み ,  配向 ,  二重ゲート ,  MOSFET ,  移動度